功能描述:MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:650 V
闸/源击穿电压:25 V
漏极连续电流:130 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms
配置:Single
最大工作温度:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:Max247
封装:Tube
IP-B03-CX
IP-B03-CY
IPB03N03LA
IPB03N03LA G
IPB03N03LAG
IPB03N03LB
IPB03N03LB G
IPB03N03LBG
IPB041N04N
IPB041N04N G
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